احسان اربابی                                 78182407

در این پایان نامه نخست دلایل فیزیکی پدیده شکست در پیوندهای (پی - ان) و راههای بهبود آن مورد بررسی قرار گرفته و سپس روشهای بدست آوردن ولتاژ شکست بیان شده است، در ادامه به بررسی دیودهای ساخته شده در آزمایشگاه نیمه هادی و میکروتکنولوژی دانشگاه صنعتی شریف پرداخته ایم و به نتایجی از جمله چگونگی تاثیر شکل پنجره نفوذ، مدت زمان نفوذ ، کیفیت سطح نفوذ و استفاده از حلقه محافظتی بر ولتاژ شکست دست یافتیم. در پایان اثر میدان مغناطیسی بر ولتاژ شکست و جریان نشتی در پیوندهای (پی - ان) مورد ارزیابی قرار داده شده است که ما را به این موضوع می رساند که چگونه میدان مغناطیسی می تواند در افزایش ولتاژ شکست اثر بگذارد و برای این اثر چه شرایطی مورد نیاز است

کلمات کلیدی: پیوند (پی - ان) ، ناحیه تخلیه، ولتاژ شکست، روکش زدن در سطح یا پسیویشن، حلقه حفا ظتی، اریب دادن، میدان مغناطیسی

Keywords: p-n junction, depletion region, breakdown voltage, passivation, guard ring, beveling, electromagnetic field.